다음 회로에서 MOSFET이 포화영역에서 동작하기 위한 R 의 D 최댓값[kΩ]은? (단, MOSFET 문턱전압 V ＝ 0.8 [V], 공정전달 th 컨덕턴스 파라미터     ＝200 [μA/V2], 채널폭과 채널길이    비 W/L＝ 10이며, 채널길이변조(channel length modulation)와 몸체효과(body effect)는 무시하고 연산증폭기는 이상적이다) 10V   1 V ＋ － Ω