다음 MOSFET 바이어스 회로에서 트랜지스터 은 포화(saturation)  영역에서 동작한다. 문턱전압  , 소자 공정 파라미터       일 때,   전압은? (단,   은 공정 전달컨덕턴스 파라미터(process transconductance parameter)이고,    이며, channel length modulation 및 body effect는    무시한다)                  ＋    －        