반도체 소자와 관련된 용어의 설명으로 옳지 않은 것은?

Question

Accepted Answer

4. Body 효과: MOSFET 소자에서 기판전압 V ≠0인 경우, B 문턱전압은 소스와 기판 사이의 순방향 전압에 의존한다.

Answer

Fermi 준위: Fermi 준위에서 에너지상태는 전자에 의하여 점유될 확률이 50 %이다.

Answer

Early 효과: BJT 컬렉터접합의 역바이어스 전압이 증가됨에 따라 공간전하층은 베이스의 폭을 더욱 점유하며, 그 결과로 실효 베이스 폭은 감소한다.

Answer

Zener 항복: 고농도 도핑이 이루어진 PN접합이 역바이어스 전압에 의해 전자의 터널링으로 큰 역방향 전류를 형성하게 된다.

Answer

Body 효과: MOSFET 소자에서 기판전압 V ≠0인 경우, B 문턱전압은 소스와 기판 사이의 순방향 전압에 의존한다.